中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能凯时KB88平台登陆官网，受到的青睐凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。同时凯时KB88平台登陆官网，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求凯时KB88平台登陆官网，稍有不慎就会得到错误结果。

　　为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试凯时KB88平台登陆官网，对应的测试系统往往需要注意以下几点。(实测视频见文中~)

　　针对此要求，的功率器件动态特性测试系统DPT1000A中配置了业内领先的示波器MSO5（1GHz带宽）凯时KB88平台登陆官网、光隔离探头TIVP1（1GHz带宽）、高压无源探头TPP0850（800MHz带宽）凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网、Shunt（500MHz带宽）

　　2. 探头与测量点之间实现最小回路连接凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，减小测量回路中额外引入的寄生参数凯时KB88平台登陆官网，避免测量结果中出现并不存在的震荡或其他异常波形

　　3. 控制测试板中功率回路和驱动回路的电感凯时KB88平台登陆官网，避免开关波形出现严重震荡或超出器件安全工作范围

　　针对要求2和3凯时KB88平台登陆官网，泰克科技为GaN HEMT功率器件提供了专用测试板以确保测试效果凯时KB88平台登陆官网，其具有以下特点：

　　b. 针对不同封装类型的器件，提供焊接和压接两种形式凯时KB88平台登陆官网，既可以避免传统Socket引入过量的寄生电压，又能够确保器件牢固可靠

　　c. 光隔离探头TIVP1、高压无源探头TPP0850与PCB连接时采用专用测试座凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，尽量减少了引入测量回路的电感凯时KB88平台登陆官网，同时还确保了测量的重复性

　　测试点：栅极的信号的测试点凯时KB88平台登陆官网，主回路电流的测试点凯时KB88平台登陆官网，源漏极Vds的电压的测试点

　　泰克DPT1000A功率器件动态特性测试系统集成了MSO58B高分辨率多通道示波器、光隔离探头以及双通道的任意波形发生器等产品凯时KB88平台登陆官网，可实现：

　　- 覆盖高压凯时KB88平台登陆官网、中压、低压、pmos凯时KB88平台登陆官网、GaN 等不同类型凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，不同封装芯片测试

　　传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市场上具有标志性意义凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用凯时KB88平台登陆官网，同时相比于碳化硅器件，在成本上也会有更大的优势凯时KB88平台登陆官网，证明未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间凯时KB88平台登陆官网。

　　另外，泰克也在北京成立了先进半导体开放实验室凯时KB88平台登陆官网，测试器件类型广泛，从传统硅基器件到三代半功率器件凯时KB88平台登陆官网，高压到低压，功率器件到功率模块凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，都可以进行特性测试和表征凯时KB88平台登陆官网，欢迎各位工程师预约申请实测！

　　原文标题：实测干货分享！1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试

　　文章出处：【微信号：泰克科技，微信公众号：泰克科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

　　电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅

　　一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓

　　技术面临的挑战 /

　　产品在0-850V的电压区间上的安全稳定工作，在国内市场中位居前列凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。利用芯生代的

　　又有新成果 /

　　凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。此外，宽禁带异质结场效应晶体管具有较高的载流子密度和二维电子气通道，以及较大的临界电场强度

　　结构解析 /

　　和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响凯时KB88平台登陆官网。 而增强型氮化镓晶体管

　　在此方向上凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现

　　的商业化量产凯时KB88平台登陆官网，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了

　　技术剖析 /

　　电流崩塌效应 /

　　（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代

　　工艺全流程 /

　　放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的

　　大信号模型 /

　　技术 /

　　圣邦微电子推出SGM33685系列Sub-1G射频功率放大器（RFPA）

　　【基于Lattice MXO2的小脚丫FPGA核心板】02ModelSim仿真