英飞凌公司的研究人员宣布已经测试成功首款65nm多栅极鳍式场效晶体管（Multi-gate finFET）架构。有此一名的原因就是其场效应管的源极（Source）和漏极（Drain）部分看起来好像鱼鳍一样凯时KB88平台登陆官网，栅极（gate）则和以往的电路都在一个平面上不同凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，从三维空间的上方连入。在研究人员测试的电路中凯时KB88平台登陆官网，包含3000多个有效的晶体管，它们都是以这种三维方式制造而成。

　　和现有的单栅极技术相比凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，该技术下开发的芯片可以在70%的面积上达到同样的性能，同时还能减少10%的漏电流直流凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。这将显著增强芯片的能效比空间电荷栅极，和现在的65nm技术相比凯时KB88平台登陆官网，最高可以延长移动设备续航时间达到一倍凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。

　　英飞凌公司董事会成员凯时KB88平台登陆官网，通讯解决方案集团负责人Hermann Eul博士称：“通过世界首款65nm多栅极技术的诞生凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，我们证明了不仅仅是简单的更换制程凯时KB88平台登陆官网，从80nm到65nm凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网，一样可以改变整个半导体行业凯时KB88平台登陆官网凯时KB88平台登陆官网。现在凯时KB88平台登陆官网，我们将努力把这些先进的技术和原料更具创造性的应用起来误符凯时KB88平台登陆官网。在现有技术的基础上，我们希望多栅极技术将让CMOS管的尺寸向32nm乃至更小的范围进军。”

　　英飞凌并非唯一在此方向上努力的公司双通道单脉冲凯时KB88平台登陆官网，Intel在今年中期就曾宣布，在其未来的32nm及22nm产品中凯时KB88平台登陆官网，将采用3栅极晶体管凯时KB88平台登陆官网。