现如今，氮化镓已被广泛应用在充电器产品中，大幅提升了我们日常的充电体验。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻，更快的开关速度，可以有效降低发热，提升整机效率。

　　氮化镓主要分为高压和低压两种，高压氮化镓主要应用在市电供电的开关电源初级双通道单脉冲，而低压氮化镓，主要应用于主要用于充电器、移动电源、车充的同步升降压以及同步整流场景。

　　最近充电头网发现，有来自安克、首诺信两家厂商的三款设备采用了英诺赛科的低压氮化镓开关管。

　　英诺赛科作为全球领先的氮化镓芯片研发以及制造企业，先后推出了INN040FQ015A、INN040FQ043A、INN040W048A等多款芯片，满足厂商不同的低压场景需求。

　　英诺赛科氮化镓开关管INN040FQ043A，是一颗耐压40V的增强型氮化镓开关管，导阻为4.3mΩ。

　　这款氮化镓开关管具有极低的栅极电荷和导通电阻，并具有非常小的封装面积，适用于高频DC-DC转换器，负载点，RF包络跟踪，笔记本电脑充电器，移动电源和电机驱动，采用FCQFN 3*4mm封装。

　　首诺信这款车充具备1A1C接口，USB-C口支持65W快充输出，USB-A口支持18W快充输出，满足笔记本和手机快充需求。这款车充采用铝合金外壳，具有不错的散热性能，小体积大功率。

　　首诺信这款车充整体采用黑色雾面设计，外壳为金属材质，整体十分小巧。机身输入端帽盖和主体外壳间有塑料环隔离绝缘。顶面配备1A1C双输出接口，胶芯分别为橘黄色和黑色撞色设计。

　　INN040W048A为英诺赛科40V低压VGaN芯片，该芯片支持双向导通，具备超高开关速度、导通电阻极低、无反向恢复等特性。在手机中应用可以让其内部空间得到高效利用，还能降低手机在充电过程中的温升凯时KB88平台登陆官网，在快速充电时保持比较舒适的机身温度，延长电池使用寿命。

　　该手机搭载全新的6纳米工艺联发科天玑8020芯片，不仅拥有出色的性能表现，还能有效降低功耗和发热。配备了8GB LPDDR4X 内存和256GB的UFS 3.1存储空间，内置 4400mAh 的电池，能够满足用户对于大内存、大存储以及长续航的需求。同时，在屏幕刷新率和拍摄功能上也有显著提升空间电荷栅极。

　　摩托罗拉Edge 40手机内部采用的英诺赛科 VGaN 双向导通氮化镓芯片（40V/4.8mΩ），其具备无体二极管、低导通阻抗等特性。

　　英诺赛科 V-GaN 产品具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用一颗氮化镓芯片就能代替两颗硅MOSFET，节省了手机PCBA空间，低导通阻抗的特性大大降低手机温度，为用户提供了更高效的快充体验。

　　OPPO推出的Reno第十代里程碑之作——OPPO Reno10 系列，该系列可谓在外观、色彩、人像、续航等多方面都下了很多心思。尤其是后者，在带来轻薄设计的同时，还实现了性能上的新突破。

　　OPPO Reno10 系列包含了 Reno10直流，Reno10 pro 和 Reno10 pro+ 三款新机型，机身外观设计从金丝琉璃升级到金丝流纱工艺，手感表现更好。该系列全系产品均内置了英诺赛科新型低压氮化镓 VGaN，以此替代传统手机内部的两颗背靠背SiMOS，实现更低导通损耗的手机电池充、放电功能，并节省手机内部空间。这也成为 Reno10 系列实现轻薄的重要方式之一。

　　一加Ace 2，搭载满血版骁龙8+处理器，16GB大内存， SUPERVOOC S 电源管理芯片，以及全链路氮化镓快充，将速度、性能与美感完美融为一体，成为性能手机新标杆误符。

　　这款手机待在SUPERVOOC S全链路电源管理芯片，能够直接驱动其电源主板上的双向导通氮化镓芯片，以此取代以往三条链路驱动，实现全链路GaN快充，让手机续航更久，放电效率更高，充电体验更好。

　　线系列以影像为全新越级点，推出2亿单镜变焦相机，同时在外观构造、屏幕设计、充电续航等方面也进行了全面升级，而最低售价仅1999元，成为同价位段当之无愧的质价比之王。

　　线 Pro+实现了从适配器到手机端全链路氮化镓，手机内置40V氮化镓芯片（英诺赛科VGaN），仅用一颗就能替代原本两颗背靠背的Si MOS ，充电更快的同时体积更小，散热更快，也是目前这个价位段首个全链路GaN百瓦闪充。

　　1、质价比之王，线pro+震撼发布！内置英诺赛科VGaN实现全链路氮化镓

　　线大师探索版搭载第一代骁龙8+旗舰芯片，搭配线X闪存芯片和新一代 X7 独显芯片，带来集设计、性能、游戏、体验等全方位的升级，堪称“年度质感旗舰”。

　　这款新机是行业首个轻薄的百瓦大电池手机。在8.17mm极致轻薄的机身下配置100W光速秒充和5000毫安大电池，使得快充、轻薄和长续航三者兼备，25分钟时间即可充电至100%，彻底缓解续航焦虑。realme此次在手机中引入的氮化镓为英诺赛科的VGaN产品。

　　英诺赛科INN150LA070A，是一颗耐压150V，导阻7mΩ的增强型氮化镓单管。

　　这款开关管具有非常低的栅极电荷和超低的导通阻抗，可有效减小驱动损耗和导通损耗，加之其超小的封装，适合应用于AC-DC的同步整流，D类功放，高频DC-DC转换器，通信基站和马达驱动。

　　INN150LA070A采用倒装FCLGA3.2*2.2封装，die与焊盘具有更大的接触面积，更低的热阻，有效降低温升，显著提升散热性能。

　　安克这款GaNPrime 65W全氮化镓充电器，应用了行业首创的全氮化镓多口快充技术，均支持PowerIQ 4.0技术，全时功率分配技术可以实时自动分配多口同时使用的输出功率，让充电更快更智能。

　　Anker全氮化镓系列充电器采用相同的设计风格，主体黑色外壳并哑光处理，输出端设有银色装饰板。

　　这款快充插座具备两个新国标五孔AC插座，满足大功率设备使用。并具备2C1A三个输出接口，两个USB-C接口支持65W快充输出，并支持功率盲插。自带的线缆可以通过外壳覆盖的橡胶进行收纳，方便又美观。下面就带来这款全氮化镓插座的拆解，看看内部做工如何。

　　安克这款快充插座通体白色机身圆润，自带电源线看上去似乎“很短”，实则设计暗藏玄机，下面再细说。插头可插在机身的插孔里，整体便显得十分整洁小巧，让插座外带远行不再是想象。

　　英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

　　如今氮化镓器件在快充中已获得广泛的使用，其他领域的产品，如电吹风、手机、电脑主板等电子设备中的硅器件也逐步被氮化镓器件所取代。英诺赛科作为深耕低压氮化镓器件的厂商，旗下产品现已进入安克、OPPO、一加、摩托罗拉、首诺信等多家厂商的供应链，饱经市场检验，产品质量有目共睹。相信未来会有更多厂商选择搭载英诺赛科的低压氮化镓产品来取代传统硅器件。