和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响，其中最大的问题在于部分耗尽的浮体效应。当顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时，由于结构中氧化埋层的隔离作用，器件开启后一部分没有被耗尽的si膜将处于电学浮空的状态凯时kb88在线娱乐，这种浮体结构会给器件特性带来显著的影响，称之为浮体效应。浮体效应会产生kink效应、漏击穿电压降低、反常亚阈值斜率等浮体效应凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐。

　　由于浮体效应对器件性能带来不利的影响，如何抑制浮体效应的研究，一直是SOI器件研究的热点凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐。针对浮体效应的解决措施分为两类，一类是采用体接触方式使积累的空穴得到释放，一类是从工艺的角度出发采取源漏工程或衬底工程减轻浮体效应。所谓体接触凯时kb88在线娱乐，就是使埋氧层上方凯时kb88在线娱乐、Si膜底部处于电学浮空状态的中性区域和外部相接触凯时kb88在线娱乐，导致空穴不可能在该区域积累，因此这种结构可以成功地克服MOSFET中的浮体效应。

　　人们采取了很多措施来抑制浮体效应，比较常用的如图1所示，有T型栅凯时kb88在线娱乐、H型栅和BTS结构。但T型栅凯时kb88在线娱乐、H型栅技术由于p型Si区体电阻的存在而不能有效抑制浮体效应凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐，而且沟道越宽体电阻越大凯时kb88在线娱乐，浮体效应越显著凯时kb88在线娱乐。BTS结构直接在源区形成p+区，其缺点是源漏不对称，使得源漏无法互换，有效沟道宽度减小。而且，源端的接触引进了较大的寄生电容，使得器件性能变差凯时kb88在线娱乐。

　　如图2所示，本文提出了一种新的体接触技术，该方法利用局部SIMOX技术，在晶体管的源凯时kb88在线娱乐、漏下方形成离Si表面较近的薄氧化层，采用源漏的浅结扩散，形成侧向体引出结构。未在此基础上凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐，适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻，与以往方法相比，该方法具有较小的体-源、体-漏寄生电容凯时kb88在线娱乐，完全消除了背栅效应、体引出电阻随器件宽度增大而减小凯时kb88在线娱乐，体电阻可以随Si膜厚度的加大而减小，且不以增大寄生电容为代价等优点。因而凯时kb88在线娱乐，该器件能更有效地抑制浮体效应凯时kb88在线娱乐。而且凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐，为形成局部埋氧层凯时kb88在线娱乐，该方法仅仅在工艺上增加了一块掩模版凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐，其他的工艺流程跟标准的SOI CMOS工艺一致，因此该方法具有很好的工艺兼容性凯时kb88在线娱乐。

　　该结构可以利用低能量凯时kb88在线娱乐、低剂量局部SIMOX技术实现，为了在器件的沟道下方不形成BOX层，在氧离子注入时，利用Si02掩膜进行覆盖，掩膜采用RIE(reactive ion etching)，根据形成的局部埋氧层的深度和厚度确定注入的能量和计量，注入完成后，在Ar+0．5％O2的气氛中进行高温退火数小时形成局部埋氧层凯时kb88在线娱乐。Y．M．Dong和P．He等人的实验结果验证了局部SIMOX技术在工艺上的可实现性，利用透射电子显微镜对样品的微结构进行观察，其源凯时kb88在线娱乐、漏下方的BOX层非常完整凯时kb88在线娱乐，BOX层的端口与多晶Si栅相对齐，间距略微大于栅的长度凯时kb88在线娱乐。整个单晶Si的表面非常平整，源漏区没有因为形成BOX层而抬高，也没有在退火过程中受到氧化而降低凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐。表l为新型结构器件的主要工艺参数，其中：Tox为栅氧厚度；TSi为Si膜厚度；Tbox为埋氧层厚度；Tsdbox为源漏下埋氧层厚度；Nch为沟道掺杂浓度；Nsub为衬底掺杂浓度；Ldrawn为沟道长度；Wdrawn为沟道宽度；Xj为源漏结深。

　　采用ISE―TCAD模拟器对器件进行模拟并讨论模拟结果凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐。体接触可在一定程度上抑制浮体效应。体接触的效果还与接触位置凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐、器件的尺寸和工艺有关凯时kb88在线娱乐。如果体接触效果不好，漏结碰撞电离产生的空穴仍然会在体区积累凯时kb88在线娱乐凯时kb88在线娱乐，使得体区空穴浓度增大凯时kb88在线娱乐，体区电位升高，阈值电压降低，因而漏电流增大。图3为浮体器件、T型栅体接触结构和本文提出的新型体接触结构的输出特性凯时kb88在线娱乐、切线处空穴浓度和器件的转移特性曲线凯时kb88在线娱乐，三种结构工艺条件相同。由图3可见，本文提出的结构体区空穴浓度最低、阈值电压最高、没有kink效应发生凯时kb88在线娱乐，成功的抑制了浮体效应的产生凯时kb88在线娱乐。耗尽接触凯时kb88在线娱乐擦除头插入力湿制程